外延片

直径2~8英寸 在单晶衬底上生长一层同质或异质的薄膜层。 外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶。 该类硅片需要用户提供详细指标进行定制。

SOI硅片

直径4~8英寸 可提供Bonding工艺SOI和Smart cut.工艺SOI 器件层厚度最薄可到150nm，埋氧层厚度可到最薄1um 可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制，以及多层SOI的定制

其他特殊硅片及耗材

超厚硅片，超薄片，厚度可到10um，金属化硅片（镀金，镀铝，镀铜等），超平硅片，特殊晶向硅片，穿孔硅片，绒化硅片，晶棒（国产/进口），金属靶材，金属颗粒，金属片，纳米颗粒，键合金属丝

单面/双面镀金硅片

膜层参数：Cr30nm/Au100nm（可定制） 衬底类型：硅片/玻璃片/石英片/蓝宝石片 衬底规格：2/4/6/8/12寸(尺寸规格厚度可定制) 膜层粗糙度：Ra≤1nm 膜层纯度：≥99.999% 镀膜工艺：电子束蒸发/磁控溅射

单面/双面镀铜硅片

膜层参数：Ti30nm/Cu500nm (可定制) 衬底类型：硅片/玻璃片/石英片/蓝宝石片 衬底规格：2/4/6/8/12寸 (尺寸规格厚度可定制) 膜层粗糙度：Ra≤lnm 膜层纯度：≥99.999% 镀膜工艺：电子束蒸发/磁控溅射

单面/双面镀铝硅片

膜层参数：Ti30nm/A1 100nm;A1 100nm (可定制) 衬底类型：硅片/玻璃片/石英片/蓝宝石片 衬底厚度：2/4/6/8/12寸（尺寸规格厚度可定制） 膜层粗糙度：Ra≤lnm 膜层纯度：≥99.999% 镀膜工艺：电子束蒸发/磁控溅射