原子层沉积 (ALD)
ALD 生长原理与传统化学气象沉积（CVD）有相似之处，不过ALD在沉积过程中，反应前驱体是交替沉积，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，每次反应只沉积一层原子。拥有自限制生长特点，可使薄膜共形且无针孔的沉积到衬底上。因此可以通过控制沉积周期的次数进而实现薄膜厚度的精确控制。
PECVD/ICPCVD
PECVD 是一种基于真空的工艺，通常在 <0.1 Torr 的压力下进行，允许相对较低的基板温度，从室温到 350°C。通过利用等离子体为这些沉积反应的发生提供能量，而不是将基板加热到很高的的温度来驱动这些沉积反应。由于PECVD 沉积温度较低，沉积的薄膜应力较小，结合力更强。
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