本司拥有多台多样式磁控溅射台，可实现自转镀膜、自公转镀膜、连续镀膜、正放置镀膜及倒放置镀膜等多种镀膜方式。靶类齐全能实现Ti、AL、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn、Mo、W、Ta、Si、Sic、NiCr20等20余种金属、非金属及合金薄膜，TaN、TiN等复合材料镀膜加工。最大可制备12英寸晶圆。

用途：

用于溅射Ti、AL、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、cu、TiW、Pd、Pt、zn、Mo、W、Ta、Si、Sic、NiCr20等20余种金属及合金薄膜，TaN、TiN等复合材料。最大可制备12英寸晶圆。

技术指标：

速率0.1-10A/s;

反溅射功率0-200W;

直流功率50-500W;

普通金属(Ni、Al、Ti、A9、Cr、Cu等)1nm-5000nm；

贵重金属(Pt、Au、Pd)1nm-5000nm;

气体(Ar、02、N2);

流量范围0-50 sccm;

本底真空:8E-6 Torr;

温度:20-400℃;

薄膜不均匀性≤5%。