干法刻蚀-河南微纳半导体有限责任公司

深硅刻蚀/RIE/ICP

本司拥有各类各型号干法刻蚀设备拥有优秀的各向异性刻蚀剖面：干法刻蚀能够实现各向异性刻蚀，即垂直方向的刻蚀速率远大于侧向，具有良好的侧壁控制能力。良好的关键尺寸(CD)控制：干法刻蚀能够提供精确的关键尺寸控制，确保刻蚀的精确度和一致性。光刻胶脱落或粘附问题最小化：干法刻蚀过程中，光刻胶的脱落或粘附问题较少，有利于保持光刻胶的完整性和刻蚀的准确性。片内、片间、批次间的刻蚀均匀性良好：干法刻蚀能够在不同的芯片内部、芯片之间以及批次之间保持较好的刻蚀均匀性，确保产品质量的一致性。

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